FIB Focused Ion Beam

Analog zu einem System mit fokussiertem Elektronenstrahl (Raster- oder Durchstrahlungselektronenmikroskop) wechselwirkt
ein auf eine Probenoberfläche einfallender Ionenstrahl mit dieser und erzeugt so Signale, welche mittels geeigneter Detektoren
aufgefangen werden können. Im Unterschied zu „leichten“ Elektronen, welche die Probenoberfläche kaum verändern, führen
aber „schwere“ Ionen zu einem Materialabtrag und können so neben ihrer Bildgebenden Funktion auch als Mikro- oder
Nanobearbeitungswerkzeug verwendet werden.
Das Gerät Quanta 200 3D verfügt über eine Kombination aus Elektronen- sowie Ionenquelle (Dual Beam), welche unabhängig
voneinander betrieben werden können und damit die Vorteile beider Strahlquellen miteinander verbindet.

Einsatzgebiet und Anwendung (REM und FIB):

Schichtdickenbestimmung, Schichtstrukturanalyse
In situ Querschnittspräparation im Gerät, auch von sehr dünnen (im Bereich einiger nm) Schichten auf der Oberfläche
Kristallgrößenbestimmung (channelling effect)
Oberflächentopographie- und Oberflächenstrukturanalyse (ausgezeichneter Topographiekontrast bei Verwendung von
Ionen)
- Oberflächenrauigkeiten
- Unterschiedliche Elementzusammensetzung
- Bruchflächencharakterisierung
- Teilchengrößenbestimmung von Pulvern
Mikrostrukturierung von Oberflächen durch Schneiden oder gezielte Abscheidung von Pt
Gefügeuntersuchungen
- Phasenanalyse
- Ausscheidungsidentifikation
Elementanalyse (EDX)

Spezifikationen:

Beschleunigungsspannung:
- 0,2 – 30 kV (Elektronen)
- 5 – 30 kV (Ionen)
Auflösung (Punkt zu Punktauflösung)
- 3,5 nm bei 30 kV (Elektronen)
- 10 nm bei 30 kV und 10 pA (Ionen)
Abscheidung von Pt im Gerät
5 –achsige motorisierte Probenbühne
- Kippung -10 bis 60 °
- Verfahrweg
  - x=50 mm
  - y=50 mm
  - z=25 mm
Maximaler Gasdruck in Probenkammer: 27 mbar
Variable Gaszusammensetzung in der Probenkammer
(Semi)-quantitative Elementanalyse (EDX) für Elemente mit Ordnungszahlen ≥ Bor
(EDAX-Phoenix System)