GD-OES optische Glimmentladungsspektroskopie

Bei der optischen Glimmentladungsspektroskopie HF (GDOES-HF) werden Argonatomemittels Hochfrequenz in einer Hohlanode ionisiert und in Richtung Probe (Kathode) beschleunigt. An der Probenoberfläche werden dadurch kontinuierlich Atome herausgeschlagen und angeregt. Beim Übergang zurück in den Grundzustand wird ein für jedes Element charakteristisches Licht emittiert, welches gemessen wird. Durch den kontinuierlichen Materialabtrag wird eine Tiefenprofilanalyse ermöglicht.

Einsatzgebiet:

 

  • Charakterisierung von Oberflächen (quantitative Tiefenprofilanalyse)
  • Ermittlung der Materialzusammensetzung (Bulkanalyse)
  • Verfügbare Elemente: Ag, Al, Au, B, Ba, Bi, C, Ca, Cl, Co, Cr, Cu, F, Fe, H, In, Ir, K, Li, Mg, Mn, Mo, N, Na, Nb, Ni, O, P, Pb, Pd, Pt, S, Sb, Si, Sn, Ta, Ti, V, W, Zn, Zr;

 

Anwendungen:

 

  • Prüfung von Oberflächenbeschichtungen
  • Prüfung von Oberflächenbehandlungen (Beizen, Nitrieren, Phosphatieren, etc. )
  • Untersuchung von Diffusionszonen
  • Korrosionsuntersuchungen -Überprüfung von Korrosionsschutzmaßnahmen
  • Qualitätskontrolle

 

Spezifikationen:

 

  • Quantifizierung mit zertifizierten Standards
  • Simultananalyse von 41 (+1)* Elementen
  • *Monochromator zur Analyse eines zusätzlichen Elements
  • Bulkanalyse (ppm-Bereich)
  • HF-Anregung für leitende und nicht leitende Probenstücke
  • HDD –High Dynamic Rage Detector

 

Tiefenprofilanalyse

  • Sputterratenkorrektur
  • Tiefenauflösung ca. 10%
  • Tiefenbereich: (10)50nm –190μm

 

Probenanforderungen:

 

  • Analysenfläche: Ø 2 oder 4 mm
  • Probendurchmesser: > 15 mm
  • Probenkammer für kleinere Proben >2 mm
TiN auf Stahlsubstrat

TiN auf Stahlsubstrat

chemisch Ni-P Beschichtung auf Stahlsubstrat

chemisch Ni-P Beschichtung auf Stahlsubstrat

Cu/Cr/Ni-Multilayer auf Si-Wafer

Cu/Cr/Ni-Multilayer auf Si-Wafer